近日，中 國移動(108.330, 0.00, 0.00%)研究院成功自主研制出中 國移動首款新結構硅基外腔混合集成光源芯片，相關成果被光學領域頂.級學術期刊Photonics Research錄用（影響因子7.2，中 國科學院1區TOP）。

該芯片本征線寬（衡量信號頻率穩定性的核心指標）達34.2 Hz，相位噪聲比現有產品降低三個量級（本征線寬從數十kHz降低到數十Hz），為每秒可傳送萬億比特數據的T比特級下一代光傳輸技術提供了全新解決方案。

面對T比特級光傳輸“擴波段”“提速率”的挑戰，研發團隊通過三大技術創新突破瓶頸：一是用“反向游標”結構實現超200nm超寬譜調諧，較現有商用產品提升100％；二是攻克增益難題，實現多波段無縫切換；三是采用低損氮化硅諧振腔，讓線寬僅為現有商用產品的千分之一。

歷經3年攻關，團隊全程主導從結構設計、參數仿真到版圖布局、流片封裝、原型驗證的全流程研發，在實現調諧范圍、線寬等關鍵性能指標突破的同時，通過優化結構設計和版圖布局，將芯片面積縮減90％，達到1.5mm×4mm，且兼容標準的緊湊型nano封裝，具備產品化前景。該芯片從設計、制備到封裝均在國內完成，實現了全鏈條自主可控。